原位退火对CdZnTe晶体性能的影响

摘要：

采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部Te夹杂相分布、电阻率大小以及能谱响应.结果表明,原位退火可以大幅降低CZT晶体内部大尺寸Te夹杂相的密度,晶体内绝大部分的Te夹杂都集中在5 μm以内.此外,原位退火后的晶体电阻率从4.54×108 Ω.cm上升至3.73× 1010 Ω·cm原位退火后的CZT晶体对241Am@59.5 keV γ射线表现出了良好的能量分辨率,为7.29％.

关键词：Te夹杂相、退火、CdZnTe、布里奇曼法、探测器

所属期刊栏目：20

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11275122;上海市科委基金重点资助项目11530500200;上海市教委科研创新基金资助项目12ZZ096

在线出版日期：2015-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：701-706