10.3969/j.issn.1007-2861.2014.04.09
直角耦合结构的宽阻带SIW滤波器
提出一种新型的宽阻带基片集成波导(substrate integrated waveguide,SIW)滤波器.该滤波器采用直角耦合结构,在上阻带产生两个传输零点(transmission zeros,TZs),分别位于两个不同的二次模(TE102/TE201)谐振频率附近.为了进一步提高滤波器的阻带特性,在SIW的上层金属面蚀刻两个矩形槽.测量结果表明,该滤波器中心频率10 GHz处的插入损耗为1.9 dB,通带内回波损耗大于20 dB.阻带抑制大于20 dB的频段为10.5～18.8 GHz,有效抑制了二次谐波响应.相比传统SIW带通滤波器,阻带宽度增加了48％.实测结果与仿真结果吻合良好.
带通滤波器、宽阻带、基片集成波导、传输零点、直角耦合
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TN713(基本电子电路)
上海市重点学科建设资助项目S30108;上海市科委重点实验室资助项目08DZ2231100;毫米波国家重点实验室开放课题经费资助项目K201324
2014-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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