FIB刻蚀对电化学制备多孔硅的影响

摘要：

通过聚焦离子束(focused ion beam,FIB)轰击处理制备得到一种新的微纳级多孔硅结构,并通过实验实现可控化.在图形化过程中,FIB轰击处的周围区域内多孔硅的电化学腐蚀被抑制,出现了抑制区,称为屏蔽区域.屏蔽区域的形成主要是由FIB轰击过程中硅粒子的二次碰撞所引起的.屏蔽区域的宽度在一定范围内与FIB的轰击电压、硅衬底的阻值成正相关.报道了一种圆形多孔硅结构:圆环上多孔硅密集分布,而环内完全没有孔结构,圆外围的屏蔽区域依然存在,使得该圆形结构得以从周围环境中独立出来.这种内部完全屏蔽的圆结构的直径最大可达10.tm.

关键词：多孔硅、聚焦离子束、屏蔽区域、二次碰撞效应

所属期刊栏目：20

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60876079

在线出版日期：2014-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：355-361