溶液法制备CdZnTe晶体中Te夹杂相分析

摘要：

利用红外(infrared,IR)显微镜、腐蚀坑形貌及傅里叶红外(Fourier transform infrared,FTIR)光谱仪观察研究溶液法制备CdZnTe晶体中的Te夹杂相.讨论CdZnTe晶锭中Te夹杂相的分布和原因,及其对晶体中位错密度(etch pitdensity,EPD)和红外透过率的影响.实验结果表明:沿生长轴方向,Te夹杂相密度增大,相应的位错密度也增大；红外透过率随Te夹杂相密度的增大而减小,生长末端晶体的透过率低至45％.

关键词：碲锌镉、Te夹杂、位错、红外透过率

所属期刊栏目：19

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50902091;上海市重点学科建设资助项目S30107;上海市科委重点资助项目11530500200;上海市教委科研创新资助项目12ZZ096

在线出版日期：2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：67-70