10.3969/j.issn.1007-2861.2010.04.020
ZnO/SnS复合薄膜的制备及其光伏性能
利用n型氧化锌和p型硫化亚锡制备ITO/ZnO/SnS/Al结构的pn结太阳能电池.首先采用射频磁控溅射法在ITO衬底上制备ZnO薄膜,再用真空蒸发镀膜法沉积SnS薄膜以形成异质结,并利用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)光谱、透射光谱和I-V曲线来表征薄膜和器件的性能.讨论在不同溅射功率和工作气压下制备的ZnO薄膜对光吸收情况和所形成异质结器件的影响,测量不同沉积时间制备的ZnO薄膜相应的器件的开路电压、短路电流密度和填充因子.结果表明,当工作气压和溅射功率分别为0.2 Pa和150 W,沉积时间为40 min时得到的ZnO薄膜能获得较好的异质结且器件的性能达到最优化.该最优器件的短路电流密度JSC为1.38 mA·cm-2,开路电压VOC为0.42 V,填充因子FF为0.40.
太阳能电池、SnS、ZnO、真空蒸发、磁控溅射
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TK514(特殊热能及其机械)
2010-10-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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