10.3969/j.issn.1007-2861.2006.06.011
Na-Mg弱掺杂ZnO薄膜的结构和电学特性
报道了用溶胶凝胶法制备由Na、Mg两种元素共同掺杂的ZnO薄膜,研究了在Na-Mg共同掺杂情况下,ZnO薄膜的表面形貌、微结构和电学性质.通过改变Na、Mg掺杂量与Zn的比值,ZnO薄膜可呈现良好的c-轴取向.同时,经过Hall效应测量发现:ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和迁移率随着Na、Mg的掺杂量而变化,并出现离散性,薄膜电阻率最低可达0.57×105 Ω·cm,具有P-型传导性.
溶胶凝胶法、Na-Mg掺杂、ZnO薄膜、电阻率测量
12
O469(真空电子学(电子物理学))
2007-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
604-609