硅衬底CMOS射频集成电路中金属厚度对平面螺旋电感Q值的影响
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硅衬底CMOS射频集成电路中金属厚度对平面螺旋电感Q值的影响

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该文着重分析金属线厚度对Q值的影响.为此设计了三组电感,它们的金属线厚度分别为5、10和20μm,并用Ansoft HFSS软件进行FEM(finite element method)的仿真.仿真的结果表明,金属线厚度对电感Q值的影响在很大程度上取决于电感内径的大小.因此当金属线厚度超过10μm时,通过进一步增加金属线厚度来改善Q值仍是可能的.

平面螺旋电感、金属线厚度、串联电阻、Q值、RF集成电路

11

TN4(微电子学、集成电路(IC))

2005-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

455-459

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11

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