HgI2探测器中晶体表面处理的研究

摘要：

该文研究了HgI2晶体表面状况对晶体电学性质的影响,主要探讨在不同的腐蚀条件下KI溶液腐蚀HgI2晶体时,得到不同的表面状况,从而对HgI2晶体电学性质产生的影响.扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及微电流计分析表明,通过化学腐蚀,在0 ℃时,用浓度为10%～20% KI溶液,腐蚀时间2 min左右,可以得到较好的晶体表面状况.上述工艺条件,能够很大程度上优化HgI2晶体的电学参数,从而提高HgI2核探测器的性能.

关键词：核探测器、HgI2晶体、表面处理、漏电流

所属期刊栏目：9

分类号：O793(晶体物理化学过程)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：167-171