一种CMOS过热保护电路

摘要：

提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路.采用0.6 μmn阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的spectre仿真结果表明,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力.通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害.

关键词：过热保护、CMOS、PTAT(与绝对温度成比例)

所属期刊栏目：8

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：293-296