10.3969/j.issn.1007-2861.2001.06.008
高纯元素合成碘化汞及其单晶的生长
研究了“真空冷指升华法”制备高纯碘(I2);采用“三温区汽相合成法”将高纯汞(Hg)与高纯碘合成碘化汞(HgI2);α-HgI2单晶的 “三温区定点成核法”的汽相生长.分析讨论了温度场对晶体生长的影响.实验结果表明:汞与碘合成时对碘源区、汞源区、碘化汞沉积区分别设置成不同的合适温度,在合成时碘的量比按化学配比的计算值过量5%左右,且在长晶时对原料进行碘处理的方法能确保HgI2的纯度及汞与碘的最佳化学比.长晶时源区温度在125~126 ℃,长晶区温度在111~112 ℃,源区与长晶区的温度梯度为1 ℃/cm,这样在生长安瓿中所形成的温度场对晶体的生长是比较适宜的.
碘化汞、碘、碘化汞合成、化学配比、气相晶体生长、温度场
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O782*.7(晶体生长)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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