介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性

摘要：

对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善击穿特性的方法.

关键词：高压p-i-n器件、介质隔离、厚膜BESOI、击穿电压

所属期刊栏目：7

分类号：TN312+.4(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：109-112