关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论

摘要：

从热力学角度对LPE中同时存在的Si氧化与SiO2腐蚀的动态平衡过程进行了分析,表明在Si的低温同质液相外延中,一般的LPE条件很难解决防止Si的氧化问题.作者尝试采用饱和Sn源保护Si衬底的方法来解决硅氧化问题,通过对外延层表面形貌和成分的分析研究,表明采用Sn源保护成功地解决了硅的氧化问题.

关键词：硅氧化、液相外延、硅薄膜

所属期刊栏目：6

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：194-198