10.3969/j.issn.1004-4620.2003.02.026
高频红外碳硫法测定碳化硅中SiC
采用对试样进行灼烧预处理的方法,除去游离碳,用高频红外碳硫仪测定碳化硅中的SiC.探讨了锡粒、纯铁、钨粒作为助熔剂的用量,并以纯碳化硅和粘合剂合成的标准样品校正仪器,本方法的相对标准偏差(RSD)为0.73%(n=7).
高频红外碳硫吸收法、碳化硅、预处理、合成标准样品
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O657.33(分析化学)
2004-01-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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