ZnO纳米线阵列的制备及其光电性能研究

摘要：

本文采用较低温度、无催化剂条件下的化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD)在透明导电玻璃上制备ZnO纳米线阵列,分析讨论反应温度、保温时间对产物形貌的影响,并将其分别制成染料敏化太阳电池(Dye-sensitized solar cell,DSC)光阳极,探究DSC光电性能的变化情况.结果表明:沉积温度为500℃时,在透明导电玻璃上得到均匀、致密、长径比大的ZnO纳米线阵列.此外,大长径比的ZnO纳米线阵列作为光阳极组装的DSC具有较好的光电性能,主要原因是大长径比的ZnO纳米线有利于染料分子的负载,提高入射光的利用率,另外,ZnO纳米线作为一维纳米材料有利于电子空穴的分离、传输,综合表现出较高的光电转化效率.同时,进一步探讨敏化过程对DSC光电性能的影响.研究发现,随着敏化时间的延长,DSC光电转化效率反而降低,可见,合理的敏化时间对保证电极稳定性、获得较好电池光电性能至关重要.

关键词：ZnO、纳米线阵列、化学气相沉积、染料敏化太阳电池

所属期刊栏目：48

分类号：TQ132.4

资助基金：陕西国防工业职业技术学院2015年科研基金资助项目Gfyl5-01

在线出版日期：2017-05-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：268-272