10.3969/j.issn.1672-3767.2003.z1.032
AlGaAs/GaAs多量子阱表面光伏的真空特性
测量AlGaAs/GaAs多量子阱在不同真空度中的表面光伏谱,研究半导体量子阱表面态的真空敏感机理.半导体量子阱表面光伏与真空度有关,主要是由于表面吸附的氧原子的作用.
半导体、量子阱、表面光伏、真空特性
22
O478(半导体物理学)
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
76-77
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10.3969/j.issn.1672-3767.2003.z1.032
半导体、量子阱、表面光伏、真空特性
22
O478(半导体物理学)
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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