10.3969/j.issn.1672-3767.2003.z1.026
a-Si:H/SiO2多层膜中的脉冲激光诱导限制结晶
利用等离子增强化学气相淀积(PECVD)技术制备a-Si:H/SiO2多层膜,并采用脉冲激光诱导限制结晶的方法,对a-Si:H/SiO2多层膜进行晶化.喇曼(Raman)散射谱的结果表明经过激光辐照后纳米硅颗粒在原始的a-Si:H子层形成,且尺寸可以精确控制.
脉冲激光、多层膜、限制结晶
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O484.1(固体物理学)
2004-08-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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