包含纳米硅(nc-Si)晶粒MOS结构中的共振隧穿和库仑阻塞现象

摘要：

采用等离子体氧化和逐层(layer-by-layer)生长技术在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中原位制备了Al/SiO2/nc-Si/SiO2/p-Si纳米结构.利用变频电容-电压测量研究了该结构的电学性质,在室温下首次观察到电容峰现象.实验得到的单电子库仑充电能与理论上用电容模型算得的结果一致.

关键词：纳米硅(nc-Si)、电容-电压特性、共振隧穿、库仑阻塞

所属期刊栏目：22

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金6007019;国家重点基础研究发展计划973计划2001CBG10503;江苏省自然科学基金GB2001002,BK2001028

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：50-52