集成电路ESD介质击穿过程中击穿电荷物理模型研究

摘要：

在集成电路绝缘氧化层静电放电(ESD)介质击穿物理模型的基础上,讨论并建立了击穿电荷的数学物理模型,给出了击穿电荷与氧化层表面累积电荷密度的关系式.

关键词：(ESD)击穿电荷、介质击穿、IC技术

所属期刊栏目：22

分类号：O441.6(电磁学、电动力学)

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：1-2