铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究

摘要：

用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中.利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布.测出的实验值和TRIM'98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98模拟计算的理论值符合较好.

关键词：离子注入、卢瑟福背散射技术、射程分布

所属期刊栏目：24

分类号：O471.4(半导体物理学)

资助基金：山东省中青年科学家科研奖励基金项目2006BSB01447;山东建筑大学校内基金项目XN070109

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：212-214