单层膜厚对钙锶铋钛钕薄膜结构及性能的影响

摘要：

采用Sol-Gel法和层层快速退火工艺,通过控制甩膜转速在Pt/Ti/SiO2/Si 基片上制备了单层膜厚不同的钙锶铋钛钕(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚对于C0.4S0.6NT铁电薄膜的结构及性能的影响.研究结果表明:适当的单层膜厚有利于薄膜在(200)方向的择优取向,有利于薄膜的铁电性能.单层膜厚为60nm时,C0.4S0.6NT薄膜具有优良的铁电性能,2Pr和2Ec分别为24.155μC/cm2、148.412kV/cm,具有较高的应用价值..

关键词：钙锶铋钛钕薄膜、铁电性能、Sol-Gel法、单层膜厚

所属期刊栏目：23

分类号：TM223(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金60471042;山东教育厅重点项目03A02

在线出版日期：2008-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53