非本征条件下N型HgCdTe光导探测器的厚度选择

摘要：

分析了N型HG面空间电荷层中的表面电势的变化情况,计算了Auger复合寿命及光导器件的探测率,讨论了表面电荷密度、表面附合速率及器件厚度对探测器性能的影响.结果表明,在非本征条件下,对N型HgCdTe光导探测器,当表面附合速率及表面电荷密度确定后,对器件探测率存在一最优厚度.

关键词：HgCdTe光导探测器、表面空间电荷、器件厚度、探测率

所属期刊栏目：16

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：90-94