10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.08.206
MOCVD生长AlN的化学反应分析
本文总结了MOCVD反应器中,由TMAl和NH3为反应源生长AlN时出现的气相反应、表面反应及化学沉积中的寄生反应.
AlN、气相反应、表面反应、寄生反应
TN3
重庆市教委科学技术研究项目KJ1505502
2017-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共1页
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10.16640/j.cnki.37-1222/t.2017.08.206
AlN、气相反应、表面反应、寄生反应
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重庆市教委科学技术研究项目KJ1505502
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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