基于VLD终端的光刻对准标记工艺设计
采用VLD终端的半导体器件,在工艺流程上首先需要进行终端制备,然后进行有源区的制备,这就需要在终端制备工艺结束之后,留下后续工艺制造所需要的光刻对版标记,本文设计了一种可以实现套刻的光刻对版标记的工艺,并给出了工艺实现的条件.
氮化硅、VLD终端、双层掩膜
2015-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
269-270
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氮化硅、VLD终端、双层掩膜
2015-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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