NiO薄膜性质的模拟和实验对比研究

摘要：

NiO作为一种新型的宽禁带半导体材料,在紫外光探测器、发光二极管等领域具有重要应用.采用Material studio软件在建立NiO晶体结构模型的基础上,通过软件模拟得到了NiO薄膜的能带、结构和光学等特性.发现模拟得到的NiO能带是一种直接带隙的半导体,其禁带宽度为3.1 eV,分别在37.2°、43.3°、62.9°、75.4°和79.5°出现了x射线衍射峰,NiO薄膜材料在可见光区吸收很少,而在紫外波段吸收特性较好.还采用磁控溅射方法,在石英衬底上制备了NiO薄膜,并对其结构、光学、形貌、原子比例等特性进行了研究.同理论模拟结果对比研究发现,模拟结果和实验结果基本一致,证明了模拟方法的可靠性.

关键词：NiO薄膜、模拟、磁控溅射

所属期刊栏目：30

分类号：TB115(工程基础科学)

资助基金：国家自然科学基金项目11004016

在线出版日期：2018-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：8-12