掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4陶瓷介电性能的影响

摘要：

采用固相反应法制备陶瓷样品,研究掺杂CuO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的微观结构和介电性能的影响.结果表明:掺杂降低了(Zr0.8Sn0.2) TiO4陶瓷的烧结温度,样品能够在1 300℃下烧结成瓷,陶瓷密度和介电常数随着CuO的增加而增加,介电损耗随着掺杂量的增加而减少.XRD结果显示:样品的主晶相均为(Zr0.8Sn0.2) TiO4相,ZnO和CuO的质量分数均为1％,烧结温度1 350℃时,介电常数为40.5,损耗为0.0004(1 MHz),介电性能最佳.

关键词：介电常数、Cu3TiO4、SEM

所属期刊栏目：34

分类号：TQ174

资助基金：西华大学研究生创新基金YCJJ201303,YCJJ201306

在线出版日期：2015-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：46-49