10.3969/j.issn.0490-6756.2018.01.026
铕掺杂氧化钇的密度泛函第一性原理研究
基于第一性原理密度泛函,开展了氧化钇(Y2 O3)的晶体结构和电子性质的计算研究,对比实验结果验证了计算方法的可行性.通过超元胞模型的密度泛函计算,探究了氧化钇主要本征点缺陷和不同格点阳离子铕(Eu)取代掺杂的形成能.结果表明,富氧条件有利于Eu杂质原子掺入氧化钇晶格,低费米能条件下,Eu原子易于取代周围6个O原子具有中心反演对称性的钇原子;在高费米能条件下,杂质原子对两种格点钇原子取代几率相等.本研究对于提升Eu掺杂氧化钇的发光效率具有一定的指导意义.
缺陷、氧化钇、铕、密度泛函
55
O474(半导体物理学)
国家自然科学基金11247276,11405111,11205107
2018-01-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
159-164