第一性原理计算Al掺杂的正交相Ca2Si的电子结构及光学性质

摘要：

采用基于第一性原理方法对Ca2Si和Al掺杂Ca2Si的能带结构 、态密度和光学性质进行计算.结果表明Al掺杂引起了晶格结构畸变,晶胞体积增大;Al掺杂Ca2Si使得费米能级插入价带中,Ca2Si导电类型变为P型半导体,禁带宽度由未掺杂时的0.26减小到0.144 eV,价带主要由Si的3p,Al的3p以及Ca的4s和3d共同贡献,导带主要由Si的3p态贡献;光学性质的结果显示,由于Al掺入,ε1(0)值增大,ε2(ω)向低能端移动,吸收系数 、复折射率增大,反射率减小.

关键词：Al掺杂Ca2Si、电子结构、光学特性、第一性原理

所属期刊栏目：55

分类号：O474;O881.1(半导体物理学)

资助基金：贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合科技基金黔科合[LH字[2014]7507];贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心资助

在线出版日期：2018-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：135-140