高压下XeF2结构稳定性及电子结构性质的理论研究

摘要：

采用平面波赝势密度泛函理论方法研究了惰性气体化合物XeF2在0～80 GPa压力范围内的结构性质,计算值与实验值相符合.根据我们计算得到的不同压力XeF2的弹性常数,结合力学稳定性判据,证实XeF2的I4/mmm结构在80 GPa压力范围内是稳定的.计算了不同压力下XeF2的带隙,发现带隙随着压力的增大而减小.当压力大于10 GPa时,XeF2的带隙随压力的增大近似呈线性减小趋势.表明随着压力的增大XeF2晶体由绝缘体向半导体转变,且金属性越来越强.

关键词：结构性质、高压、第一性原理、能带结构

所属期刊栏目：54

分类号：O521+.2(高压与高温物理学)

资助基金：国家自然科学基金11404099;河南理工大学杰出青年基金J2014-05

在线出版日期：2017-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：781-784