Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究

摘要：

本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150℃～170℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.

关键词：Te掺杂、AlSb多晶薄膜

所属期刊栏目：49

分类号：TM23;TM914.4+2(电工材料)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2011CBA00708

在线出版日期：2012-09-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：661-664