10.3969/j.issn.0490-6756.2011.03.026
In Ⅱ偶宇称J=O和J=1时的辐射寿命
利用多通道量子数亏损理论(MQDT)研究了一价铟离子5sns1S0(n=6~20),5sns3S1(n=5~15)and 5snd1D1(n=5~14)的能级结构及寿命,分析了各通道之间的干扰.这些能态数据对于新材料的研究具有一定的指导意义.
多通道量子数亏损理论、Rydberg态、寿命
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OF327
2011-08-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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