自偏置的多段曲率校正带隙基准源

摘要：

典型的帶隙基准电压源电路是由CMOS工艺产生的具有负温度系数的寄生横向BJT的发射结电压V_(EB)和具有正温度系数的热电压V_t 相补偿产生零温度系数的基准帶隙电压源.但是V_(EB)与温度不是线性关系, 因此V_(REF)需要被校正.本文介绍了一种高精度自偏置多段二次曲率补偿的CMOS帶隙基准电压源.采用0.5 μm CMOS工艺、工作电压为3.3 V,该芯片室温下功耗为94 μW.设计在0 ℃~75 ℃有效温度系数达到了0.7 ppm/℃.

关键词：带隙基准电压、共源共栅电流镜、自偏置、低温度系数、二次曲率校正

所属期刊栏目：47

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：293-296