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温场均匀性对CdTe薄膜及太阳电池性能的影响

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采用近空间升华法(CSS)制备CdTe多晶薄膜,模拟制备过程中的温场变化,结合,I-V、C-V特性及深能级瞬态谱研究温场均匀性对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,温场分布和薄膜厚度分布基本一致,温场均匀性对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.通过改进温场的均匀性能够制备出组件转换效率为8.2%的CdS/CdTe太阳电池.

CdTe薄膜、CdS/CdTe太阳电池、深能级瞬态谱(DLTS)

41

TM914.4;TN304.2;O657.6

国家863重点资助项目2001AA5B010;四川省应用基金资助项目2006J13-083;中国高校博士点资助基金20050610024

2017-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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四川大学学报(工程科学版)

1009-3087

51-1596/T

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2009,41(6)

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