两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料

摘要：

根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法--两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2多晶材料.通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析,结果发现:新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品.晶体生长实验表明:新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹,红外透过率达67%,而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36%.因此,两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法.

关键词：硫镓银、多晶合成、两温区、气相输运、温度振荡

所属期刊栏目：37

分类号：O77(晶体缺陷)

在线出版日期：2005-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：73-76