10.3969/j.issn.1009-3087.2005.04.016
两温区气相输运温度振荡法合成AgGaS2多晶材料
根据对Ag2S-Ga2S3赝二元相图的分析,采用同成分点配料,分别采用一种新方法--两温区气相输运温度振荡法和普通气相输运法合成AgGaS2多晶材料.通过XRD对合成AgGaS2多晶的分析,结果发现:新方法合成的原料纯度及均匀性优于普通气相输运法合成的样品.晶体生长实验表明:新方法合成的AgGaS2多晶材料生长出的单晶外观完整、无裂纹,红外透过率达67%,而普通气相输运法合成的多晶材料生长出的单晶体红外透过率36%.因此,两温区气相输运温度振荡法是合成高质量AgGaS2多晶材料的一种较好的新方法.
硫镓银、多晶合成、两温区、气相输运、温度振荡
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O77(晶体缺陷)
2005-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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