H原子对Gd5Si1.72Ge2.28合金低场磁性能和磁熵变的影响

摘要：

为了提高Gd5(SixGe1-x)4(0.2<x≤0.5)系合金的居里温度同时保持该类合金的大磁热效应,使用商业蒸馏Gd为原材料,用非自耗电弧炉熔炼出Gd5Si1.72Ge2.28母合金,然后将该合金粉末在贮氢合金用PCT设备上进行吸氢,获得了Gd5Si1.72Ge2.28Hx合金.磁性测量结果表明,H原子的引入,使合金的居里温度从246 K提高到297 K;同时,合金在居里温度附近的最大磁熵变从-7. 6 J*kg-1*K-1下降到-4.2 J*kg-1K-1(0～1.5 T),但与同纯度的Gd相比,Gd5Si1.72Ge2.28Hx合金的磁熵变仍然比Gd的磁熵变(-3.1 J*kg-1*K-1,0～1.5 T)高出35%.

关键词：磁致冷材料、磁熵变、居里温度、GdSiGe合金

所属期刊栏目：36

分类号：TB34;TB64(工程材料学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA324010

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：71-73