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10.3969/j.issn.1009-3087.2004.01.013

化学池沉积法制备CdS多晶薄膜及其性质

引用
采用化学池沉积(CBD)法,在3种不同衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积制备CdS多晶薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,算出了CdS多晶薄膜的能隙宽度E0和电导激活能Ea,研究了CBD法中CdS多晶薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响.结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO2玻片为衬底的沉积效果最佳.

CdS多晶薄膜、化学池沉积(CBD)法、太阳电池

36

O484(固体物理学)

国家自然科学基金50076030;国家高技术研究发展计划863计划2001AA513010;国家重点基础研究发展计划973计划G2000028208

2004-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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四川大学学报(工程科学版)

1009-3087

51-1596/T

36

2004,36(1)

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