GaAs相关多普勒放大器的抗静电设计

摘要：

静电放电严重影响砷化镓器件的可靠性,为了提高砷化镓相关多普勒放大器(简称相关多放)的抗静电能力,设计了一种硅隔离和双二极管网络的抗静电保护电路;硅器件建立了敏感芯片核心区域和电压及电流的缓冲隔离,双向对称导通的双二极管网络有利于泄放大电流;基于静电放电人体模型,运用静电模拟仪器对相关多放进行了模拟试验,并对其性能进行测试;结果表明:器件的抗静电能力从200 V提高到了1400V,开关选通前后沿小于5 ns,开关延迟不大于10 ns,控制信号泄露不大于40 mV,开关输出幅度不小于1V.抗静电能力改进后,模块的开关性能保持不变,雷达接收机增益和噪声一致.导弹系统试验证明,抗静电措施稳定、有效,提高了产品的可靠性.

关键词：GaAs开关、静电释放、静电放电模型、静电防护、硅隔离、双二极管网络

所属期刊栏目：42

分类号：TN386;TN952(半导体技术)

在线出版日期：2021-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：253-257