强磁场对Sn-3Ag-O.5Cu/Cu扩散偶界面金属间化合物生长的影响

摘要：

研究了强磁场对Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶界面金属间化合物生长的影响.结果表明:在强磁场作用下,Sn-3Ag-0.5Cu/Cu扩散偶在170 ℃时效过程中其界面金属间化合物的生长规律与无磁场作用时相同.但强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率较无磁场作用时有所增加.通过比较正反向强磁场对界面金属间化合物生长的影响发现:正向强磁场作用下界面金属间化合物的生长速率大于反向强磁场作用下界面化合物的生长速率.

关键词：强磁场、金属间化合物、扩散偶、生长速率

所属期刊栏目：32

分类号：TG111.4(金属学与热处理)

资助基金：2007年度教育厅自然科学研究项目KJ2007B270

在线出版日期：2011-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：139-141