腔内气压对IGBT Si沟槽刻蚀速率的影响

摘要：

IGBT是新能源汽车的核心部件,主要用于电力驱动、充电桩、车载空调等系统,第 5代IGBT沟槽刻蚀技术对Si基的刻蚀工艺要求很苛刻.腔内气压影响刻蚀速率的因素包括离子轰击效应、化学反应速率、物理碰撞效应.采用ICP601型等离子体刻蚀机,F基气体对光刻后的Si片进行沟槽刻蚀.结果表明,前期随着气压的增加,刻蚀速率增大,当气压为5Pa时,刻蚀速率达到最大值0.24 μm/min,中后期随着气压的增大,刻蚀速率减小.

关键词：新能源汽车、IGBT、光刻、刻蚀

分类号：TN323+.4(半导体技术)

资助基金：河南省科技计划资助项目BLD;162102210320

在线出版日期：2023-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：49-51