脉冲偏压对直流磁控溅射制备CuNiIn薄膜过程中钛合金基体的影响

摘要：

用直流磁控溅射技术制备CuNiIn薄膜，研究了电源脉冲偏压对钛合金基体结构和力学性能的影响。采用热电偶丝实时监控沉积过程中的基体温度变化，利用截面金相法对比分析了基体在膜层制备前后结构和形貌的变化情况，利用高温拉伸试验机测量了有CuNiIn膜层的试样和无膜层试样的抗拉强度和弹性模量。结果表明：20%低占空比、500V的脉冲偏压下，基体沉积过程中的温度可保持在300℃以下；膜层制备过程对钛合金基体组织和力学性能的影响很小。

关键词：CuNiIn薄膜、磁控溅射、脉冲偏压、基体温升、组织性能

所属期刊栏目：8

分类号：TG174.4(金属学与热处理)

在线出版日期：2016-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：60-64,52