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10.13738/j.issn.1671-8097.018135

GaAs纳米线晶格热导率温度和尺度效应及声子非弹性散射

引用
为了深入理解砷化镓(GaAs)纳米线的微观热输运机理,采用平衡分子动力学的方法模拟其晶格热导率.基于声子态密度的频域特性和热流自相关函数的时域特性,分别研究温度、尺寸对纳米线晶格热导率的影响规律.结果 表明,纳米线的热导率有明显的温度与尺度效应.随温度升高,其晶格热导率先逐渐增大后减小,300 K左右达到最大值1.6 W/(m· K);晶格热导率随长度、直径的增大均先增加后趋于稳定.砷化镓纳米线晶格热导率的温度和尺度效应均可用声子非弹性散射解释.模拟的热导率比体材料的值小一个数量级,模拟结果可为改善半导体材料的热电性能提供指导.

砷化镓纳米线、晶格热导率、态密度、热流自相关函数、声子非弹性散射

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TK124(热力工程、热机)

国家自然科学基金资助项目51876223

2020-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

444-450

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1671-8097

21-1472/T

18

2019,18(6)

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