10.3969/j.issn.1671-8097.2006.04.013
物性参数对硅单晶Czochralski生长过程的影响
为了了解硅单晶Czochralski (Cz) 法生长时物性参数对熔体流动和氧传输过程的影响,利用有限元法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,Cz炉外壁温度维持恒定.结果表明:熔体的导热系数及发射率对熔体流动、加热器功率、结晶界面形状、晶体内轴向温度梯度和氧浓度有重要影响,而熔体的密度、黏度系数及熔解热对硅单晶Cz法生长过程影响较小.
传热传质、直拉法、热物性参数、数值模拟
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TK123(热力工程、热机)
2007-01-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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