退火参数对磁控溅射Al2O3介质电学性能的影响

摘要：

氧化铝作为一种可以应用于高密度MIM电容器的高k材料,具有很大的禁带宽度和良好的热稳定性,可以有效减小漏电流.采用磁控溅射法制备了氧化铝薄膜,并对不同气氛和温度下退火的氧化铝薄膜进行了漏电和电容测试,分析和研究了影响磁控溅射氧化铝薄膜质量的因素.结果表明,退火后氧化铝薄膜的漏电减小,而且试样在氧气条件下退火的电学性能优于氮气条件.经过250℃氮气退火的试样漏电减小,5V下漏电为9 nA左右,电容波动在10-1 pF量级.而经过250℃氧气退火后的试样,5 V下漏电仅为0.3 nA,且电容波动较小(～0.03 pF).

关键词：退火、磁控溅射、氧化铝、高k材料、电学性能

所属期刊栏目：52

分类号：TG156.2;TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金;中央高校基本科研专项资金项目;信息光子学与光通信国家重点实验室项目

在线出版日期：2023-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：125-128,138