10.14158/j.cnki.1001-3814.20200482
时效状态及Cu含量对Al-Cu合金晶间腐蚀敏感性的影响
采用硬度、加速腐蚀、电化学测试以及扫描和透射电镜分析,研究Al-xCu合金(x=0.54、1.05、2.10、3.60、4.50,wt%)不同时效态的晶间腐蚀(IGC)敏感性.结果表明,随着时效时间延长,低Cu合金始终具有IGC敏感性,且腐蚀程度逐渐加重;高Cu合金首先发生IGC,并在过时效阶段转为稳态点蚀.微观组织及电化学分析表明,低Cu合金的IGC源于晶界富Cu层与无析出区(PFZs)形成腐蚀微电池,且腐蚀程度加重与富Cu层中偏聚程度增大有关;高Cu合金的IGC源于基体及晶界析出相与PFZs形成腐蚀微电池,但时效过程中晶界析出相由连续分布逐渐转变为断续分布,决定了合金腐蚀行为由IGC向稳态点蚀转变.此外,高Cu合金在过时效阶段发生的稳态点蚀还与含Cu结晶相及基体成分有关.
Al-Cu合金、峰时效、过时效、晶间腐蚀、点蚀
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TG156.9;TG174.3+3(金属学与热处理)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;江苏省自然科学基金面上项目;江苏省高等学校自然科学研究重大项目
2022-06-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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122-126