10.14158/j.cnki.1001-3814.2017.22.038
不同沉积温度下AZO透明导电薄膜的性能研究
以纯度为99.99%氧化锌铝(w(ZnO)=98.00wt%,w(Al2O3)=2.00wt%)陶瓷靶为原料,利用直流磁控溅射法在普通白玻璃衬底上制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、四点探针测试仪和紫外可见光分光光度计等对薄膜的形貌、结构及光电性能进行分析.结果表明:薄膜具有c轴择优取向.随沉积温度升高,薄膜的结晶度先提高后下降,晶粒尺寸逐渐减小.当沉积温度为200℃时,可获得晶粒尺寸为18.30 nm、电阻率为4.1×10-3Ω·cm、透过率为93.80%的AZO透明导电薄膜.
透明导电、AZO薄膜、磁控溅射、沉积温度
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TB383(工程材料学)
国家自然科学基金;广东省金属平台创新建设
2018-07-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
155-157,161