IGBT用铝基碳化硅基板制备及性能测试

摘要：

IGBT模块作为重要的高频大功率开关元器件,频繁的热循环导致其层状模块结构钎焊焊层内产生热应力,使得焊层开裂脱落,进而引起IGBT模块芯片温度过高失效.颗粒增强相金属基复合材料(SiCP/A1)基板由于其较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数,能解决IGBT模块这一主要失效难题.采用预制块压力渗透法制备铝基碳化硅基板:将SiC颗粒进行表面金属化预处理,熔融铝液在700℃下保温30 min,预热模具温度设定600℃.压力渗透后脱模成型的铝基碳化硅基板,其热导率与热膨胀系数测试值均符合基板材料的性能要求.

关键词：IGBT、铝基碳化硅基板、表面金属化、热膨胀系数

所属期刊栏目：43

分类号：TG113.2(金属学与热处理)

在线出版日期：2014-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：121-124