10.3969/j.issn.1001-3814.2012.06.003
烧结温度对CaCu3Ti4O12陶瓷C波段介电性能的影响
采用固相反应法制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷,研究了烧结温度对CCTO晶相、微观形貌、致密度以及在C波段(3.95~5.85 GHz)的介电性能的影响.结果表明,在1040℃烧结的试样除了含有CCTO,还存在部分没有反应的TiO2.随着烧结温度的升高,TiO2逐渐消失.与1040℃和1060℃烧结的试样相比,在1080℃烧结的试样晶粒尺寸较大且粒径较均匀,而在1100℃烧结的试样有明显的熔化现象.试样的密度随烧结温度的升高而增加,在1080℃时达到最大值.在1040~1080℃烧结的试样,其介电常数随着烧结温度的升高而增加,而在1100℃烧结的试样的介电常数反而有所降低.不同烧结温度下的CCTO陶瓷的介电常数和介电损耗随频率的增大变化不大.在所得的试样中,在1080℃烧结的CCTO陶瓷介电常数最高,介电损耗最低.
固相反应法、CaCu3Ti4O12陶瓷、介电性能
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TB321(工程材料学)
国家自然科学基金;凝固技术国家重点实验室自主研究课题
2012-08-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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