热压过程中Ti3SiC2陶瓷的合成机理研究

摘要：

以Ti、Si、C粉为原料,采用热压烧结法,在烧结温度1000～1600℃合成了Ti3SiC2材料.采用XRD分析了热压产物的相组成,用SEM和EDS观察试样的显微结构,并讨论了Ti3SiC2陶瓷的合成机理.

关键词：烧结温度、Ti3SiC2、合成机理

所属期刊栏目：41

分类号：TB333(工程材料学)

资助基金：陕西省重点学科建设专项

在线出版日期：2012-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：126-128