10.3969/j.issn.1001-3814.2011.18.034
相变存储靶材的制备和镀膜性能研究
采用热压法制备Ge2Sb2Te5相变存储材料用靶材,研究了制备工艺对靶材微观结构与致密度的影响.结果表明:随保温时间的延长,靶材致密度升高.Ge2Sb2Te5靶材适宜的制备条件为570℃、10 MPa、4h,在该条件下制备的靶材主相含量达到95%,致密度达到98%,可满足制备薄膜的要求.
Ge2Sb2Te5、靶材、热压烧结、相变、镀膜
40
TG174.44(金属学与热处理)
2012-02-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
112-115