磁控双靶共溅射磁致伸缩TbFe薄膜的研究

摘要：

采用直流磁控双靶共溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶态的TbFe磁致伸缩薄膜,研究了溅射功率、工作气压等工艺参数对薄膜成分的影响.研究结果表明:当溅射功率从20W增加到100W时,TbFe薄膜中Tb含量从35.77at%增加到44.54at%;工作气压从0.2 Pa增加到1.0 Pa时,11)Fe薄膜中Tb含量从38.02at%增加到44.1at%.重点研究了真空退火处理对TbFe薄膜磁性及磁致伸缩性能的影响.结果表明,真空退火处理有利于提高平行于膜面的饱和磁化强度和磁导率;350℃真空退火60 min,在外加磁场为5 kOe条件下,TbFe薄膜的磁致伸缩系数可达到351x10-6.

关键词：磁致伸缩、TbFe薄膜、直流磁控共溅射、真空退火

所属期刊栏目：37

分类号：TG132.2+7(金属学与热处理)

资助基金：上海市教委项目05NZ03

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-19,24