Al/SiCp电子封装材料嵌入金属元件的组织与性能研究

摘要：

采用气压浸渗技术完成了Al/SiCp 电子封装材料嵌入金属元件的制备,应用能谱分析、XRD观察了界面层微观组织,并对界面连接强度进行了抗弯强度性能测试.结果表明,在制备Al/SiCp电子封装材料的同时,可以实现复合材料与固态金属(FeNi50、Ti)的可靠连接.Al/SiCp/FeNi50界面层生成Al3Ni、FeAl3、AINi金属间化合物,厚度约40 μm.预制型预热温度低于730℃时,AI/SiCp/Ti界面没有Al/Ti金属间化合物生成,界面抗弯强度可达AI/SiCp的59%～80%.

关键词：AI/SiCp、气压浸渗、界面层、抗弯强度

所属期刊栏目：37

分类号：TB33(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金69976022

在线出版日期：2008-05-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,8